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Samsung M321RAJA0MB2-CCP 128GB DDR5 SDRAM ECC Modulo di memoria registrata con velocità di 6400Mbps e design a doppio livello

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Samsung M321RAJA0MB2-CCP 128GB DDR5 SDRAM ECC Modulo di memoria registrata con velocità di 6400Mbps e design a doppio livello

Samsung M321RAJA0MB2-CCP 128GB DDR5 SDRAM ECC Registered Memory Module with 6400Mbps Speed and Dual Rank Design
Samsung M321RAJA0MB2-CCP 128GB DDR5 SDRAM ECC Registered Memory Module with 6400Mbps Speed and Dual Rank Design Samsung M321RAJA0MB2-CCP 128GB DDR5 SDRAM ECC Registered Memory Module with 6400Mbps Speed and Dual Rank Design

Grande immagine :  Samsung M321RAJA0MB2-CCP 128GB DDR5 SDRAM ECC Modulo di memoria registrata con velocità di 6400Mbps e design a doppio livello

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: Samsung
Numero di modello: M321RAJA0MB2-CCP
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1/insieme
Tempi di consegna: 2-3 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 50 pezzi a settimana
Contatto

Samsung M321RAJA0MB2-CCP 128GB DDR5 SDRAM ECC Modulo di memoria registrata con velocità di 6400Mbps e design a doppio livello

descrizione
Codice articolo del produttore: M321RAJA0MB2-CCP Capacità di archiviazione: 128 GB
Numero di moduli: 1x128 GB Velocità del bus: 6400Mbps DDR5-6400/pc5-51200
Controllo dell'integrità dei dati: ECC Dimensioni di spedizione: 1,00 (altezza) X 6,75 (profondità)
Evidenziare:

Samsung DDR5 ECC Modulo di memoria registrata

,

RAM del server DDR5 da 128 GB a 6400 Mbps

,

Memoria DDR5 a doppio grado con garanzia

Modulo di memoria Samsung M321RAJA0MB2-CCP
SAMSUNG M321RAJA0MB2-CCP 128GB (1x128GB) DDR5 6400MBPS PC5-51200 Dual Rank ECC Registrato 1.1V CL40 DDR5 SDRAM 288-Pin RDIMM Modulo di memoria
Specifiche tecniche
Produttore SAMSUNG
Numero della parte del costruttore M321RAJA0MB2-CCP
Capacità di stoccaggio 128 GB
Tecnologia della memoria DDR5 SDRAM
Numero di moduli 1 x 128 GB
Velocità del bus 6400MBPS DDR5-6400/PC5-51200
Controllo dell'integrità dei dati ECC
Tempistiche di latenza CAS CL40
Caratteristiche di rango Dual Rank
Dimensioni della spedizione 1.00 (altezza) x 6.75 (profondità)
Samsung M321RAJA0MB2-CCP DDR5 Memory Module

Prodotto Tag:

Q2078W,

ultrium di lto 8 del hpe,

Q2079AN

Dettagli di contatto
Beijing Core-Net Techonology Co., Limited

Persona di contatto: Alisa CC

Telefono: +86 18710168043

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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Soluzione termica: Passivo

Fattore di forma meccanico: Full-height, full-length (FHFL) 10,5", doppio slot

Orologi GPU: Base: 1.080 MHz Potenziamento: 1.785 MHz

Stati delle prestazioni: P0
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Supporto cavo ECD: Da 0,5 a 100 m a 64GFC/32GFC su 50/125 µm OM4 MMF, da 0,5 a 100 m a 64GFC/32GFC su 50/125 µm OM5 MMF

Generazione: Gen 7(64/32GFC)

Ambiente hardware: Intel x64, Intel x86 e PowerPC

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Supporto cavo ECD: Da 0,5 a 100 m a 64GFC/32GFC su 50/125 µm OM4 MMF, da 0,5 a 100 m a 64GFC/32GFC su 50/125 µm OM5 MMF

Generazione: Gen 7 (64/32GFC)

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Supporto cavo ECD: Da 0,5 a 100 m a 64GFC/32GFC su 50/125 µm OM4 MMF, da 0,5 a 100 m a 64GFC/32GFC su 50/125 µm OM5 MMF

Generazione: Gen 7(64/32GFC)

Ambiente hardware: Intel x64, Intel x86 e PowerPC

Tipo di bus host: PCIe Gen4x8
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Supporto cavo ECD: Da 0,5 a 100 m a 64GFC/32GFC su 50/125 µm OM4 MMF, da 0,5 a 100 m a 64GFC/32GFC su 50/125 µm OM5 MMF

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